출처 : Hidden Heroes Semi-conductor (임형규 / 양향자), Wikipedia 'samsung semiconductor'
1. 삼성, 반도체 산업 입문 (1975 ~ 1982)
0) 1947년 반도체 발명, 1959년 MOSFET 발명, 1968년 Silicon Gate MOS 기술 발전으로 고집적/고성능화 가능, 1970년 PC 탄생.
1) 1969년 삼성전자를 창립하면서 전자산업에 진출.이듬해인 1970년 삼성NEC가 설립되어 백색가전 및 AV 기기의 생산이 이루어짐.
2) 1974년에는 한국반도체를 인수하여 반도체 사업에 진출하였고 1980년에 한국전자통신을 인수, 1981년 부천에 반도체 연구소 설립.
3) 1982년도엔 통신과 반도체를 결합한 삼성반도체 통신 출범.
2. DRAM 개발에 박차를 가하다 (1983 ~ 1987)
0) 1983년 2월에는 창업주인 이병철 회장이 VLSI(DRAM) 사업에 진출한다는 ‘동경 선언’을 발표하였다.
1) 1983년 9월 기흥사업장 건설 시작
2) 1983년 미국과 일본에 이어 세계에서 3번째 64K DRAM을 개발.
3) 1984년 기흥 1라인 공장 open
4) 1984년 256K DRAM 개발.
5) 1986년 인텔 EPROM OEM 생산으로 기흥 1라인 가동, 1M DRAM 개발
6) 1987년 DRAM 가격 하락으로 인한 대규모 적자 임에도 이병철 회장 3라인 착공 지시
3. 메모리 기술 격차 극복하고 선두 탈환 (1988 ~1993)
0) 1988년도 4M DRAM 개발.
1) 1990년도 stack 공법으로 방향 전환하여 4M, 16M 기술 격차 해소하였음.
2) 1992년도 업계 최초 64M 개발, DRAM 세계 점유율 1위 달성.
3) 1993년 업계 최초 200mm 제조 라인 완공 : 5라인
4. 메모리 선두에서 살아 남다 (1994 ~ 1999)
0) 1994년도 업체 최초 256M DRAM 개발.
1) 1994~5년 메모리 초호황으로 인한 과잉 투자로 인한 공급 과다로 1996년 DRAM 가격 폭락
2) 1996~8년 동안 DRAM 대공황 지속, 많은 DRAM 회사 사업 철수, DRAM 5개 회사만 존속, 일본 메모리 업체 몰락으로 이어짐.
3) 1997년 사업 다각화를 위한 사업 개편으로 메모리 임원 대규모로 S.LSI 사업부로 이동.
4) 1998년 업계 최초 128M FLASH Memory 수출, 미국 SAS Austin에서 생산 시작.
5) 1999년 메모리 시황 개선 및 삼성 메모리 사업 안정화, S.LSI 사업부 강화하기 시작.
5. 영속적인 발전을 위하여 (2000 ~ 2010)
0) 2000년 화성 부지 선정
1) 2000년, 시스템 반도체는 부천 공장에서 아날로그 IC 중심으로 1조원대 매출 기록했으나 디지털 전환으로 성장 정체
2) 2002년 LCD Driver IC 시장 점유율 세계 최고 달성, 업계 최초 90nm 급 2GB NAND FLASH 개발 성공.
3) 2003년 FLASH 메모리 점유율 세계 최고 달성, 로직 전용 FAB 건립 추진.
4) 2004년 업계 최초 60nm 급 8GB NAND FLASH 개발 성공.
5) 2005년 업계 최초 DDR3 SDRAM 개발 성공.
6) 2006년 업계 최초 16-chip MCP 개발 성공, 업계 최초 32GB SSD 개발 성공.
7) 2007년 미국 SAS Austin 2번째 공장 가동 시작.
8) 2009년 40nm 급 2GB DRAM 대량 생산 시작.
6. 미래 개척을 위하여 도전하다. (2010 ~ 2022)
0) 2010년도 업계 최초 32nm HKMG(High K Metal Gate) TR process 개발 성공, 20nm 급 NAND FLASH 양산 시작.
1) 2011년도 30nm 급 4GB mobile DRAM(LPDDR2) 양산 시작, S.LSI 브랜드 AP Exynos 출시
2) 2013년도 업계 최초 3D Vertical NAND (V-NAND) 메모리 양산 개시, big.LITTLE ™ 아키텍처를 구현한 업계 최초의 모바일 AP 인 Exynos 5 Octa 소개
3) 2014년도 20 nm급 8 Gb mobile DRAM (LPDDR4) 대량 생산 시작, 중국 시안(SCS) 생산 시작
4) 2015년도 S3 17line 생산 라인 가동, 업계 최초 14 nm FinFET 모바일 AP 양산 개시, 미국 반도체 사업장 신규 본부 개설
5) 2016년도 업계 최초 10 nm FinFET SoC 양산 개시, 업계 최초 10 nm급 DRAM 양산 개시
6) 2017년 평택P1에서 생산 시작, 파운드리 사업부 시스템 LSI 사업에서 분리, 2세대 10 nm FinFET 공정 양산 시작
7) 2018년도 화성 EUV 라인, 중국 시안 두 번째 메모리 라인 착공, 5세대 V-NAND 양산 시작 및 업계 최초 8Gb LPDDR5 개발, 삼성전자 최초 5G 모뎀 Exynos Modem 5100 개발, 자동차 솔루션 브랜드, Exynos Auto 및 ISOCELL Auto 출시, EUV 기반 7 nm LPP 양산 시작.
8) 2020년 세계 최초 MBCFET 3GAE AP 개발 성공, 2022년 세계 최초 MBCFET 3GAE AP 양산 성공
9) 2022년 미국 정부 주도하에 중국의 반도체 굴기를 견제하기 위한 CHIP4 동맹 탄생 (미국, 한국, 일본, 대만)
7. 미래를 개척하다. (2023 ~ 최근)
0) Vertical FET 개발 로드맵 제작
1) MBCFET 3GAP 양산 시작
2) 2nm 양산 Roadmap 제시