728x90 3. OPTICAL PROXIMITY CORRECTION TECH/3. OPC WORK9 EUV OPC TECH EUV OPC는 기존 ArF, KrF에서 진행했던 OPC와는 다른 Work flow를 가지고 있습니다. EUV 설비의 구조적 차이점과 EUV 광의 특성으로 인해서 다른 term을 EUV OPC Model에 반영해줘야 합니다.일반적인 ArF OPC와 다른 점은 하기와 같습니다.1. EUV mask S/L 외곽에 OD(Optical Density) 공정(Annealing)을 통해서 EUV광 반사율을 감소시켜주고, OoB(Out of Band) 제거 공정을 통해 Grating을 삽입하여 DUV광을 제거해 줍니다. OPC에선 shot edge에서의 Mask BB의 불필요한 EUV reflection 및 half shadow 영향성을 correction 해줍니다.2. UNICOM은 Uniformity Corr.. 2023. 9. 11. DESIGN RULE CHECK CODE [SVRF : POLYGON-DIRECTED] Siemens DRC language인 SVRF 중에서 Derived Error Edge commend(INT/EXT/ENC)를 알아보았고, 이 commend는 다른 operation layer의 input으로 활용할 수 없다는 것을 알았습니다. 다른 layer의 input으로 활용하려면 대괄호[ ] 혹은 소괄호( ) 넣어서 output을 뽑을 수 있었습니다. 이 edge layer를 통해서 원하는 operation을 할 수 있는 polygon directed rule check을 알아보겠습니다. AND는 두개 layer의 교집합인 영역을 선언해주는 명령어입니다. 즉, 두 layer가 겹쳐지는 영역에 대해서 알고 싶을 때 사용하는 명령어입니다. NOT 명령어는 Polygon끼지 빼주는 명령어로서 기준 l.. 2023. 8. 29. DESIGN RULE CHECK CODE[SVRF : INT/EXT/ENC] 설계가 끝난 후 PG out을 통해서 나온 polygon layer들을 Photo mask에 그려질 OPCed pattern으로 만드는 과정이 필요합니다. 그 과정은 TDLO/OPC step인데, 이 과정 전에 중요한 step이 있습니다. TDLO/OPC를 수행하기 전에 Design Rule Check 과정을 통해서 설계도 대로 그렸는지 확인하는 작업을 하고, 이를 위반하였을 경우 수정하도록 합니다. 그리고 나서 Original DB가 release됩니다. DR대로 그렸는지를 확인 할 때 사용하는 language가 mentor사의 SVRF code 입니다. SVRF command에 대해서 알아보겠습니다. SVRF code는 Standard Verification Rule Formate의 약자로 speci.. 2023. 8. 29. SRAF RULE GENERATION SRAF은 RET 기술 중 하나로 Sub-Resolution Assit Feature의 약자 입니다. SRAF은 ISO 혹은 SEMI ISO pattern의 DOF margin을 향상해줍니다. Dense pattern보다 ISO pattern인 경우에 Depth of Focus margin이 부족한 경우가 있는데, ISO pattern을 Dense pattern과 유사한 환경으로 만들기 위해 Print 되지 않는 pattern을 photo mask에 삽입해줍니다.SRAF을 Main feature로 부터 적절하게 떨어진 위치에 적절한 SIZE의 SRAF을 추가하여 DENSE 환경과 같이 만들어 DOF 를 확보해줍니다. Pattern edge에는 회절로인한 side lobe가 생기는데 이로인해 pattern.. 2023. 8. 3. OPC correction의 종류와 algorithm 예전 120nm~150nm 공정 시에는 Optical Proximity Effect로 발생한 ADI CD - target = diff를 사람이 일일이 Manual로 보정해기도 했습니다. 사람이 일일이 CD diff pattern을 찾아서 하나씩 직접 보정해 주어 시간이 오래 걸렸습니다. 그걸 manual OPC라고 불렀습니다. 그러다 그걸 table로 보정해 주는 기법이 개발되었습니다. 그래서 table compensation 값을 rule로 만들어서 보정해 주는 방법을 Rule Based OPC라고 했습니다. Line End shortening을 보정하기 위해 extension 해주거나 1D bias를 보정해주는 작업 등입니다. 그러나 rule을 보정하기엔 rule과 rule 사이에 안맞는 부분이 발견.. 2023. 8. 3. Curvilinear Optical Proximity Correction MRC Free(Curvilinear) OPC는 전통적인 Manhattanized pattern인 OPCed shape을 벗어나 rounding shape으로 만들어서 ADI Target을 기존 OPC보다 EPE를 더 잘 맞추고 PW margin도 확보하는 OPC 기술입니다. 구현하고자 하는 TDLO Target 끼리 가까이 있는 경우, mask 제작 한계(min space)로 인해서 OPC shape을 가깝게 만들 수 없습니다. 이 제작 한계는 MRC rule이라는 규칙으로 강력히 규제되고 있습니다. Curvilinear OPC를 적용하게 되면 manhattanized shape을 rounding type로 바꾸어 MRC rule 지키면서 ADI contour를 target에 가깝게 만들어주게 됩니다... 2023. 7. 20. OPC Error = Model Error + Edge Placement Error 공정 상 발생할 수 있는 측정 오차와 Photo mask CD error 및 포토 설비에서 발생한 CD error는 없다고 가정한 상태에서 OPC Error를 정의할 수 있습니다. OPC Error는 Model Error와 Edge Placement Error가 합쳐진 상태로 정의할 수 있습니다. 우선 OPC Model error는 OPC model의 잘못된 예측으로 발생한 ADI Contour CD - Measure CD = Model Error라고 할 수 있습니다. Model Error가 발생하면 예측력이 떨어지게 된 pattern에 대한 modeling sample을 보강하여 model re-calibration을 진행하거나, Model pattern variaty가 낮은 pattern의 경우, E.. 2023. 7. 5. Edge placement error (EPE) Edge placement error (EPE) is the difference between the intended and the printed features of an IC layout. It involves patterning of tiny features in precise locations. For example, a feature could be a line, and that line has right and left edges. But in a device, the line and its edges must be precise and placed in exact locations. Then, a contact may land on that line in the device. If these.. 2023. 4. 18. Source Mask Optimization flow SMO(소스 마스크 최적화)는 포토마스크에서 기판으로 패턴을 전사하는 프로세스를 최적화하기 위해 반도체 리소그래피에 사용되는 기술입니다. SMO의 목표는 소스와 마스크를 별도로 최적화하는 것이 아니라 동시에 최적화하여 패턴의 이미지 품질을 향상시키는 것입니다. 전통적인 리소그래피에서는 포토마스크와 조명 광원이 별도로 설계되었습니다. 마스크는 특정 패턴으로 설계되고 소스는 기판에 원하는 패턴을 생성하도록 최적화됩니다. 그러나 이 접근 방식은 마스크와 소스 설계의 한계로 인해 항상 원하는 결과를 얻지 못할 수도 있습니다. SMO에서는 마스크와 소스가 함께 최적화되어 최상의 이미지를 생성합니다. 이는 원하는 패턴을 얻을 때까지 마스크와 소스 매개변수를 반복적으로 수정하여 수행됩니다. 마스크 및 소스 매개변수는.. 2023. 4. 11. 이전 1 다음 728x90
