Curvilinear Optical Proximity Correction

MRC Free(Curvilinear) OPC는 전통적인 Manhattanized pattern인 OPCed shape을 벗어나 rounding shape으로 만들어서 ADI Target을 기존 OPC보다 EPE를 더 잘 맞추고 PW margin도 확보하는 OPC 기술입니다.

구현하고자 하는 TDLO Target 끼리 가까이 있는 경우, mask 제작 한계(min space)로 인해서 OPC shape을 가깝게 만들 수 없습니다. 이 제작 한계는 MRC rule이라는 규칙으로 강력히 규제되고 있습니다.  

Manhattanized Shape OPC (왼쪽), Cuvilinear Shape OPC(오른쪽), 출처 : Siemens

Curvilinear OPC를 적용하게 되면 manhattanized shape을 rounding type로 바꾸어 MRC rule 지키면서 ADI contour를 target에 가깝게 만들어주게 됩니다. Curvilinear OPC flow는 OPC runset에서 input으로 ADI target을 받아서 Fast ILT를 수행하여 Target 부근의 Gradient map을 생성하여 SRAF이 들어갈 곳을 intensity threshold로 check 합니다. check 된 곳은 seedpixel이 생성되고 Curvilinear SRAF이 생성됩니다. Target + Curvilinear SRAF을 input으로 받아서 Curvilinear OPC를 수행하게 되는데 이때 target curve를 잘게 쪼개어 fragment site를 나누고 그 site을 moving 하면서 EPE를 계산합니다. iteration 수 회 진행하게 되고  target에 맞는 OPCed shape이 생성되면 iteration은 종료되고 Final OPCed shape이 완성됩니다.

Curvilinear OPC flow, 출처 : Siemens

Final Mask shape은 MRC step을 수행하여 rule violation되는 것이 있는지 점검하게 됩니다. 

Curvilinear OPC fragment site moving 및 final OPC shape, 출처 : Siemens

EDA tool 업체들 중에서는 siemens 회사에서 Curvilinear OPC를 CL-OPC라는 이름으로 개발 중이며, ASML Brion 업체에서는 All-Angle OPC(AAOPC)라는 이름으로 개발 중에 있습니다. 

전통적인 OPC와 Curvilinear OPC의 PW margin 비교(DRAM contact), 출처 : Micron