728x90 1. PATTERNING UNIT PROCESS8 Self-Aligned Double Patterning Tech 반도체 chip scaling down이 되면서 포토 공정에서는 patterning 한계에 봉착했습니다. 이를 타개하기 위해 여러 가지 기술이 도입되고 있는데 그중 Dense Line & Space에 활용이 가능한 Self-Aligned Double Patterning 기술에 대해서 알아보겠습니다. 줄여서 SADP라고 불리는 기술은 Mandrel이라는 중심 구조를 먼저 patterning 해서 만들어 둔 뒤, Spacer Deposition을 해줍니다. Spacer Deposition을 해서 덮힌 mandrel을 etch하고 CMP해서 Mandrel옆에 spacer만 남게 만듭니다. 하나의 mandre에서 2개의 spacer가 생성되며 이것이 결국 Fin 혹은 Poly Gate가 되는 것입니다. 이 과정.. 2023. 7. 22. 포토 공정에서 Aberration (수차)의 영향성 Aberration 수차는 상을 맺을 때 한 점에서 나온 빛이 광학계를 통한 다음 한 점에 모이지 않고 영상이 빛깔이 있어 보이거나 일그러지는 현상이 나타나는 것을 말하는 것으로 즉, 구면경이나 Lens가 같는 고유한 성질로써 상의 정확한 결상을 방해하는 모든 현상을 말합니다. 수차의 종류는 크게 단색 수치와 색수차로 나뉘고 image가 흐려지는 문제와 상이 왜곡되는 image 찌그러짐 문제로 나뉩니다. 1) Spherical Abberation(구면수차) : Lens의 서로 다른 부분을 통과하는 광선들이 광축선상에서 다른 점에 상을 형성.(Best Focus 차이) 2) Comatic Aberration(코마수차) : 비축물점에서 나온 광이 Lens의 다른부분을 통과하여 Image Plane상에서 다른.. 2023. 7. 17. Immersion Lithography (액침 노광) chip scaling이 됨에 따라 193nm ArF laser와 NA 0.93로는 resolution 한계에 봉착하여 이를 타개할 방법이 필요했습니다. 그래서 ArF Immersion lithography는 기존 ArF dry에서 굴절률이 높은 액체를 사용하여 NA를 높여 resolution을 극대화시킨 scanner입니다. ArF-dry resolution의 한계는 Dense line & space의 경우, width 73nm/ space 73nm/ 146nm ptich 수준인데, NA를 1.35로 키운 ArF-Imm resolution의 한계는 width 38nm/ space 38nm/ 76nm pitch 수준 입니다. wave length가 13.5nm인 EUV의 경우엔 width 18nm/ sp.. 2023. 7. 15. Etch Process (식각 공정) Etch Process 식각 공정은 Photo 공정 이후 Photo Resist로 형성된 pattern을 etchant로 깎아내어 원하는 구조를 얻는 공정입니다. Etch 공정에는 화학용매를 이용하여 깎아내는 wet etch와 plasma ion bombardment를 해서 물리적 혹은 화학적으로 깎아내는 Dry etch가 있습니다. wet etch의 경우엔 등방성 식각으로 etchant가 고르게 퍼진 형태로 식각이 됩니다. 그래서 아래 layer가 더 깎이는 under-cut현상이 일어납니다. 반면, dry etch는 ion 입사 방향성이 존재하여 입사 방향으로만 식각이 됩니다. wet etch는 etch rate 이 빠르고 선택비가 우수합니다. 그에 비해 dry etch는 etch rate 이 느리고.. 2023. 7. 15. 노광 설비 Stepper 와 Scanner 비교 (+EUV) 반도체의 패터닝 공정에서 제일 앞에 있으며 패터닝에 제일 중요한 공정은 바로 포토 공정입니다. 그 포토 공정을 성공적으로 완성하려면 그에 맞는 정교한 설비가 뒷받침되어야 합니다. 그래서 Stepper와 Scanner에 대해서 간단히 알아보겠습니다. Optic system의 성능을 결정하는 요소에서 Resolution을 작게 만들어주는 것에는 source 파장과 lens(NA, sigma)등이 영향을 미칩니다. DOF 같은 경우에도 resolution과 동일합니다. Stage alignment system는 노광 위치에 대한 position accuracy를 결정짓는 요소이며, 또한 생산량 throughput과 관련이 있습니다.stepper는 wafer에 노광 할 때 사진 찍 듯 한 번에 노광 합니다. 그.. 2023. 7. 13. Off-Axis illumination(사입사 조명계) Off-Axis Illumination은 RET에서 resolution을 향상해 주는 조명계 기술입니다. resolution k1 factor를 낮춰주고, DOF k2 factor를 높여주어 더 작은 patterning이 가능하고 DOF margin을 증가시켜 줍니다. OAI의 원리는 On-axis 조명계에서는 정면으로 입사광이 마스크에 도달하면 회절 되면서 1 차광이 렌즈에 도달하지 않지만, Off-axis 조명계의 경우 비스듬히 사입사로 입사광이 들어오게 되면 회절 된 빛의 0 차광과 1 차광이 렌즈에 떨어지게 되어 서로 간섭을 이루어 imaging이 가능해집니다.OAI를 사용하면 이론적으로 Resolution k1 factor 기존 0.5에서 0.25까지 낮출 수 있습니다. OAI는 비스듬하게 입사.. 2023. 7. 13. Phase Shift Mask (위상전이 마스크) Phase Shift Mask(위상전이마스크)는 Resolution을 향상하기 위한 RET 기술 중 하나인 mask 기술입니다. 줄여서 PSM은 resolution 공정 상수 k1 factor를 줄입니다. 그래서 더욱 작은 patterning이 가능하게 합니다.PSM은 binary mask와 다르게 투과광의 전기장 위상을 180도 반전시켜 contrast를 극대화하여 image slope을 개선해 주는 Photo mask입니다. PSM은 Weak PSM과 Strong PSM으로 나뉩니다.전기장(E-field) 180도 반전시키고 intensity로 변환해 보면 기존 Binary mask 대비 Imin 값이 더 떨어지므로 contrast 및 image slope이 개선됩니다. 이에 따라 resol.. 2023. 7. 13. What is light? To understand light, we must first understand the properties of waves. The components of a wave are amplitude, frequency, period, and wavelength. Amplitude is the difference in height between the low and high points of a wave. Frequency is the number of oscillations per unit time. Wavelength is the distance between the top of the wave and the top of the wave. The speed of a wave can be expressed.. 2023. 1. 20. 이전 1 다음 728x90
