Etch Process 식각 공정은 Photo 공정 이후 Photo Resist로 형성된 pattern을 etchant로 깎아내어 원하는 구조를 얻는 공정입니다. Etch 공정에는 화학용매를 이용하여 깎아내는 wet etch와 plasma ion bombardment를 해서 물리적 혹은 화학적으로 깎아내는 Dry etch가 있습니다.
wet etch의 경우엔 등방성 식각으로 etchant가 고르게 퍼진 형태로 식각이 됩니다. 그래서 아래 layer가 더 깎이는 under-cut현상이 일어납니다. 반면, dry etch는 ion 입사 방향성이 존재하여 입사 방향으로만 식각이 됩니다.
wet etch는 etch rate 이 빠르고 선택비가 우수합니다. 그에 비해 dry etch는 etch rate 이 느리고 선택비가 낮습니다. 그러나 좋은 정확도와 공정 컨트롤이 비교적 쉬운 장점이 있습니다.
Etch bias는 ADI CD - ACI CD = diff 값이며, etch skew라고도 부릅니다. wet etch인 경우, skew = bias가 커지는 경향이 있습니다. 구현하고자 하는 ACI pattern은 TEM CD와도 matching을 해서 monitoring point (한도견본)에 넣어 관리하게 됩니다. etch bias 보정이 필요한 경우 etch recipe tuning 후 ADI -ACI = skew 값을 측정한 후 TDLO bias table에 반영하여 OPC target을 생성한 뒤 OPC 진행하고 MTO 한 뒤 Mask 제작을 하게 됩니다.