728x90 0.SEMICONDUCTOR4 What is Multi Vt? 모든 chip의 성능과 그 성능을 향상하기 위한 기술은 시장의 요구에 의해서 결정됩니다. 더 빠르면서(고성능), 더 오래가는(저전력 소모) chip을 고객이 원합니다. 이와 같이 multi Vt도 고객의 needs에 의해서 제공되는 경우가 많습니다. chip의 경쟁력을 얻기 위해서는 다양한 vt를 제공해서 최적화된 chip이 되도록 하는 것이 중요합니다. 기본적인 Vt로는 HVT, RVT, LVT, SLVT가 있으며 이는 transistor의 동작 속도 및 전력 소모량으로 구분됩니다. Vt는 Threshold voltage의 약자로 MOSFET에서 전류가 흐르게 되어 스위치가 켜지는 시점의 전압을 말합니다. Vt가 낮을수록 On상태의 성능은 높아지지만, Off상태의 누설 전류도 증가하는 단점이 있습니다... 2023. 7. 15. Samsung Semi-conductor History(삼성전자 반도체 역사) 출처 : Hidden Heroes Semi-conductor (임형규 / 양향자), Wikipedia 'samsung semiconductor' 1. 삼성, 반도체 산업 입문 (1975 ~ 1982) 0) 1947년 반도체 발명, 1959년 MOSFET 발명, 1968년 Silicon Gate MOS 기술 발전으로 고집적/고성능화 가능, 1970년 PC 탄생. 1) 1969년 삼성전자를 창립하면서 전자산업에 진출.이듬해인 1970년 삼성NEC가 설립되어 백색가전 및 AV 기기의 생산이 이루어짐. 2) 1974년에는 한국반도체를 인수하여 반도체 사업에 진출하였고 1980년에 한국전자통신을 인수, 1981년 부천에 반도체 연구소 설립. 3) 1982년도엔 통신과 반도체를 결합한 삼성반도체 통신 출범. 2. .. 2023. 4. 26. FINFET Process 및 Structure 소개 FINFET은 말그대로 Fin을 둘러싼 GATE를 가진 Field Effect Transistor 입니다. 이중 또는 다중 게이트 구조를 형성하는 Channel 사이에 Source/Drain 영역이 실리콘 표면에 Fin을 형성하기 때문에 이러한 장치에 "FinFET"라는 일반 이름이 지정되었습니다. FinFET 장치는 Planar CMOS (상보형 금속-산화물-반도체) 기술 보다 훨씬 더 빠른 switching time 과 더 높은 전류 밀도를 가지고 있습니다. FINFET이 상용화 된 것은 2015년이며 14nm Node를 최초로 적용하였습니다. FIN structure의 경우엔 pitch가 작기 때문에 한번에 patterning이 불가하여 Self-Align Double Patterning 공법을 이.. 2023. 4. 18. History of Transistor structure change this is a planar transistor lecture. Transitor History Transistor의 발명 이래로, 시장의 요구에 따라 계속 발전해 왔다. 고집적, 고효율, 고성능을 목표로 발전을 했으며 사용되는 영역은 군사 안보 분야를 넘어 일반인의 실생활에도 사용되게 되었다. 현재에 이르러서는 양산중인 반도체는 planar transistor와 finfet transistor, Gate All Around transistor가 있다. planar FET TR의 경우 GATE 한 면으로 E-field를 제어하기 때문에 미세한 컨트롤이 어렵고 전력소모도 심한 편이다. 하지만 finfet TR의 경우엔 GATE 3면으로 E-field를 제어하기 때문에 미세 조정이 가능하고 전력소모도 적다.. 2023. 1. 20. 이전 1 다음 728x90
