Lithography에서 forbidden pitch란 특정 조명계에서 특정 pitch의 영향성으로 poor Image quality가 나타나는 현상이 생기는 pitch 영역대를 말합니다. 그 영역대는 대략 Resolution pitch의 1.6~1.9x 정도되며 이 영역에서는 1st order와 2nd order의 간섭이 발생하여 contrast가 불량해지기 때문에 Image quality가 안좋습니다.
forbidden pitch 영향성은 sigma out쪽에 pole이 많이 분포하는 조명계에서 많이 보입니다. Conventional illumination보단 Dipole illumination 에서 forbidden pitch 영향성이 잘보입니다.
아래 그래프처럼 Conventional illumination 에서 sigma가 바깥쪽으로 빠질 수록 NILS 자체가 안좋은 것을 알 수 있습니다.
또한 CD가 작아짐에 따라 NILS가 급격히 안좋아지는 것을 알 수 있습니다.
forbidden pitch에 의한 image contrast 및 NILS 저하를 개선하기 위해서는 해당 pitch가 존재하지 않도록 Gate track base coloring으로 2mask로 제작을 하거나, forbidden pitch 사이에 SRAF을 생성하여 intensity drop을 보상해주는 방법이 있습니다. 하지만 이 경우엔 Main feature와 SRAF 사이 distance가 가까워서 SRAF print 위험성이 있기 때문에 충분한 simulation 검토가 필요합니다.
'3. OPTICAL PROXIMITY CORRECTION TECH > 0.OPC IMAGING THEORY' 카테고리의 다른 글
| Partial Coherence (부분 가간섭도) (0) | 2023.07.12 |
|---|---|
| Polarization 편광의 영향성 (0) | 2023.07.11 |
| Resolution & DOF (0) | 2023.07.06 |
| NILS & MEEF (0) | 2023.04.18 |
| Kohler system (0) | 2023.04.13 |
