728x90 전체 글65 EUV OPC TECH EUV OPC는 기존 ArF, KrF에서 진행했던 OPC와는 다른 Work flow를 가지고 있습니다. EUV 설비의 구조적 차이점과 EUV 광의 특성으로 인해서 다른 term을 EUV OPC Model에 반영해줘야 합니다.일반적인 ArF OPC와 다른 점은 하기와 같습니다.1. EUV mask S/L 외곽에 OD(Optical Density) 공정(Annealing)을 통해서 EUV광 반사율을 감소시켜주고, OoB(Out of Band) 제거 공정을 통해 Grating을 삽입하여 DUV광을 제거해 줍니다. OPC에선 shot edge에서의 Mask BB의 불필요한 EUV reflection 및 half shadow 영향성을 correction 해줍니다.2. UNICOM은 Uniformity Corr.. 2023. 9. 11. DESIGN RULE CHECK CODE [SVRF : POLYGON-DIRECTED] Siemens DRC language인 SVRF 중에서 Derived Error Edge commend(INT/EXT/ENC)를 알아보았고, 이 commend는 다른 operation layer의 input으로 활용할 수 없다는 것을 알았습니다. 다른 layer의 input으로 활용하려면 대괄호[ ] 혹은 소괄호( ) 넣어서 output을 뽑을 수 있었습니다. 이 edge layer를 통해서 원하는 operation을 할 수 있는 polygon directed rule check을 알아보겠습니다. AND는 두개 layer의 교집합인 영역을 선언해주는 명령어입니다. 즉, 두 layer가 겹쳐지는 영역에 대해서 알고 싶을 때 사용하는 명령어입니다. NOT 명령어는 Polygon끼지 빼주는 명령어로서 기준 l.. 2023. 8. 29. DESIGN RULE CHECK CODE[SVRF : INT/EXT/ENC] 설계가 끝난 후 PG out을 통해서 나온 polygon layer들을 Photo mask에 그려질 OPCed pattern으로 만드는 과정이 필요합니다. 그 과정은 TDLO/OPC step인데, 이 과정 전에 중요한 step이 있습니다. TDLO/OPC를 수행하기 전에 Design Rule Check 과정을 통해서 설계도 대로 그렸는지 확인하는 작업을 하고, 이를 위반하였을 경우 수정하도록 합니다. 그리고 나서 Original DB가 release됩니다. DR대로 그렸는지를 확인 할 때 사용하는 language가 mentor사의 SVRF code 입니다. SVRF command에 대해서 알아보겠습니다. SVRF code는 Standard Verification Rule Formate의 약자로 speci.. 2023. 8. 29. FORBIDDEN PITCH SOLUTION Lithography에서 forbidden pitch란 특정 조명계에서 특정 pitch의 영향성으로 poor Image quality가 나타나는 현상이 생기는 pitch 영역대를 말합니다. 그 영역대는 대략 Resolution pitch의 1.6~1.9x 정도되며 이 영역에서는 1st order와 2nd order의 간섭이 발생하여 contrast가 불량해지기 때문에 Image quality가 안좋습니다. forbidden pitch 영향성은 sigma out쪽에 pole이 많이 분포하는 조명계에서 많이 보입니다. Conventional illumination보단 Dipole illumination 에서 forbidden pitch 영향성이 잘보입니다. 아래 그래프처럼 Conventional il.. 2023. 8. 28. 엔드 오브 타임 part9 [지속과 무상함 : 숭고함에서 최후의 생각으로] 브라이언 그린이 말하는 세상의 시작과 진화 그리고 끝 9. 지속과 무상함 : 숭고함에서 최후의 생각으로 모든 문화권에는 영원히 변치 않는 숭고한 개념이 존재한다. 불멸의 영혼, 신성한 이야기, 한계가 없는 신, 불변의 법칙, 속세를 초월한 예술, 수학 정리 등이 여기에 속한다. 그러나 다른 세계에 존재하는 추상적 영원함은 인간이 항상 동경해 오면서도 결코 도달할 수 없는 신기루 였다. 거기에 남들보다 조금 더 가까이 다가간 사람은 삶의 관점이 통째로 달라지는 희귀한 경험을 겪곤 한다.(행복한 만남이나 비극적인 만남, 명상적, 또는 화학적인 유혹, 종교적, 또는 예술적인 경험을 통해 시간이 사라진 듯한 느낌을 받는다.) 수십 년 전 나를 포함한 아홉 명의 청소년들이 버몬트 주의 깊은 숲속에서 생존 훈련을 .. 2023. 8. 28. FIN MODULE PROCESS FIN MODULE PROCESS는 FINFET process의 첫 단계로 FIN 모양의 Acitve를 만들어주는 Module step입니다. 기존 Planer FET에서 FIN 모양을 만들어주어 이를 감싸는 GATE에서 채널에 대한 control 능력이 높아지게 되어 short channel effect(누설전류)를 줄일 수있게 되며, carrier mobility를 개선되어 성능이 좋아지며 Vth 산포가 좋아집니다.FINFET은 지느러미 모양의 FIN을 제작해주는 것이 중요한데 기본적으로 Line & Space를 만들어줘야 하는데, Litho resolution 때문에 SADP(Self-Align Double Patterning) 공정을 이용하여 Global FIN을 생성해줍니다. 포토에서 Man.. 2023. 8. 5. SRAF RULE GENERATION SRAF은 RET 기술 중 하나로 Sub-Resolution Assit Feature의 약자 입니다. SRAF은 ISO 혹은 SEMI ISO pattern의 DOF margin을 향상해줍니다. Dense pattern보다 ISO pattern인 경우에 Depth of Focus margin이 부족한 경우가 있는데, ISO pattern을 Dense pattern과 유사한 환경으로 만들기 위해 Print 되지 않는 pattern을 photo mask에 삽입해줍니다.SRAF을 Main feature로 부터 적절하게 떨어진 위치에 적절한 SIZE의 SRAF을 추가하여 DENSE 환경과 같이 만들어 DOF 를 확보해줍니다. Pattern edge에는 회절로인한 side lobe가 생기는데 이로인해 pattern.. 2023. 8. 3. Sampling in Modeling OPC model에서 Gauge data는 공정을 모사하는데 매우 중요합니다. empirical Data로 공정의 behavior를 따라가게 해야 하는데 정합성 있는 data가 필수이기 때문입니다. Design Rule을 반영, Layer 특성 및 동일layer의 이전 DB, 조명계 등을 종합적으로 고려해서 샘플 coverage가 놃으면서 anchor및 weak point를 잘 대변할 수 있도록 sampling하는 것이 목표입니다. 여러번 shot을 측정하여 산포가 없는 정합성 있는 Measured CD를 넣고 이를 모델링 툴에 넣고 모델링을 진행합니다. 샘플 중 PW margin이 부족한 layer의 경우엔 PW gauge가 필요할 수도 있습니다. 많은 point를 넣으면 모델 interpolation.. 2023. 8. 3. OPC correction의 종류와 algorithm 예전 120nm~150nm 공정 시에는 Optical Proximity Effect로 발생한 ADI CD - target = diff를 사람이 일일이 Manual로 보정해기도 했습니다. 사람이 일일이 CD diff pattern을 찾아서 하나씩 직접 보정해 주어 시간이 오래 걸렸습니다. 그걸 manual OPC라고 불렀습니다. 그러다 그걸 table로 보정해 주는 기법이 개발되었습니다. 그래서 table compensation 값을 rule로 만들어서 보정해 주는 방법을 Rule Based OPC라고 했습니다. Line End shortening을 보정하기 위해 extension 해주거나 1D bias를 보정해주는 작업 등입니다. 그러나 rule을 보정하기엔 rule과 rule 사이에 안맞는 부분이 발견.. 2023. 8. 3. Self-Aligned Double Patterning Tech 반도체 chip scaling down이 되면서 포토 공정에서는 patterning 한계에 봉착했습니다. 이를 타개하기 위해 여러 가지 기술이 도입되고 있는데 그중 Dense Line & Space에 활용이 가능한 Self-Aligned Double Patterning 기술에 대해서 알아보겠습니다. 줄여서 SADP라고 불리는 기술은 Mandrel이라는 중심 구조를 먼저 patterning 해서 만들어 둔 뒤, Spacer Deposition을 해줍니다. Spacer Deposition을 해서 덮힌 mandrel을 etch하고 CMP해서 Mandrel옆에 spacer만 남게 만듭니다. 하나의 mandre에서 2개의 spacer가 생성되며 이것이 결국 Fin 혹은 Poly Gate가 되는 것입니다. 이 과정.. 2023. 7. 22. 이전 1 2 3 4 ··· 7 다음 728x90
