728x90 semiconductor, OPC65 Curvilinear Optical Proximity Correction MRC Free(Curvilinear) OPC는 전통적인 Manhattanized pattern인 OPCed shape을 벗어나 rounding shape으로 만들어서 ADI Target을 기존 OPC보다 EPE를 더 잘 맞추고 PW margin도 확보하는 OPC 기술입니다. 구현하고자 하는 TDLO Target 끼리 가까이 있는 경우, mask 제작 한계(min space)로 인해서 OPC shape을 가깝게 만들 수 없습니다. 이 제작 한계는 MRC rule이라는 규칙으로 강력히 규제되고 있습니다. Curvilinear OPC를 적용하게 되면 manhattanized shape을 rounding type로 바꾸어 MRC rule 지키면서 ADI contour를 target에 가깝게 만들어주게 됩니다... 2023. 7. 20. 포토 공정에서 Aberration (수차)의 영향성 Aberration 수차는 상을 맺을 때 한 점에서 나온 빛이 광학계를 통한 다음 한 점에 모이지 않고 영상이 빛깔이 있어 보이거나 일그러지는 현상이 나타나는 것을 말하는 것으로 즉, 구면경이나 Lens가 같는 고유한 성질로써 상의 정확한 결상을 방해하는 모든 현상을 말합니다. 수차의 종류는 크게 단색 수치와 색수차로 나뉘고 image가 흐려지는 문제와 상이 왜곡되는 image 찌그러짐 문제로 나뉩니다. 1) Spherical Abberation(구면수차) : Lens의 서로 다른 부분을 통과하는 광선들이 광축선상에서 다른 점에 상을 형성.(Best Focus 차이) 2) Comatic Aberration(코마수차) : 비축물점에서 나온 광이 Lens의 다른부분을 통과하여 Image Plane상에서 다른.. 2023. 7. 17. Immersion Lithography (액침 노광) chip scaling이 됨에 따라 193nm ArF laser와 NA 0.93로는 resolution 한계에 봉착하여 이를 타개할 방법이 필요했습니다. 그래서 ArF Immersion lithography는 기존 ArF dry에서 굴절률이 높은 액체를 사용하여 NA를 높여 resolution을 극대화시킨 scanner입니다. ArF-dry resolution의 한계는 Dense line & space의 경우, width 73nm/ space 73nm/ 146nm ptich 수준인데, NA를 1.35로 키운 ArF-Imm resolution의 한계는 width 38nm/ space 38nm/ 76nm pitch 수준 입니다. wave length가 13.5nm인 EUV의 경우엔 width 18nm/ sp.. 2023. 7. 15. Etch Process (식각 공정) Etch Process 식각 공정은 Photo 공정 이후 Photo Resist로 형성된 pattern을 etchant로 깎아내어 원하는 구조를 얻는 공정입니다. Etch 공정에는 화학용매를 이용하여 깎아내는 wet etch와 plasma ion bombardment를 해서 물리적 혹은 화학적으로 깎아내는 Dry etch가 있습니다. wet etch의 경우엔 등방성 식각으로 etchant가 고르게 퍼진 형태로 식각이 됩니다. 그래서 아래 layer가 더 깎이는 under-cut현상이 일어납니다. 반면, dry etch는 ion 입사 방향성이 존재하여 입사 방향으로만 식각이 됩니다. wet etch는 etch rate 이 빠르고 선택비가 우수합니다. 그에 비해 dry etch는 etch rate 이 느리고.. 2023. 7. 15. What is Multi Vt? 모든 chip의 성능과 그 성능을 향상하기 위한 기술은 시장의 요구에 의해서 결정됩니다. 더 빠르면서(고성능), 더 오래가는(저전력 소모) chip을 고객이 원합니다. 이와 같이 multi Vt도 고객의 needs에 의해서 제공되는 경우가 많습니다. chip의 경쟁력을 얻기 위해서는 다양한 vt를 제공해서 최적화된 chip이 되도록 하는 것이 중요합니다. 기본적인 Vt로는 HVT, RVT, LVT, SLVT가 있으며 이는 transistor의 동작 속도 및 전력 소모량으로 구분됩니다. Vt는 Threshold voltage의 약자로 MOSFET에서 전류가 흐르게 되어 스위치가 켜지는 시점의 전압을 말합니다. Vt가 낮을수록 On상태의 성능은 높아지지만, Off상태의 누설 전류도 증가하는 단점이 있습니다... 2023. 7. 15. Optical Proximity Correction (광근접효과 보정기술) Optical Proximity Correction은 광근접효과 보정이라는 기술로 빛의 회절로 인한 wafer 위의 Photo Resist 이미지 왜곡 현상을 보정해 주는 기술로 patterning Resolution을 향상하는데 도움이 됩니다. resolution 공정 상수 k1 factor를 줄여주는 방법입니다. illumination source로부터 나온 빛은 포토마스크를 거쳐 회절이 되는데 포토마스크에 투사된 이미지는 설계한 것보다 좁거나 넓은 선 폭과 같은 불규칙성을 나타냅니다. 이 왜곡된 이미지는 사용되는 포토마스크의 패턴을 변경하여 보정할 수 있습니다. image를 보정해 주는 방법으로는 사람이 직접 일일이 보정해 주는 manual OPC가 있고, 왜곡된 구간을 특정하여 table로.. 2023. 7. 14. 노광 설비 Stepper 와 Scanner 비교 (+EUV) 반도체의 패터닝 공정에서 제일 앞에 있으며 패터닝에 제일 중요한 공정은 바로 포토 공정입니다. 그 포토 공정을 성공적으로 완성하려면 그에 맞는 정교한 설비가 뒷받침되어야 합니다. 그래서 Stepper와 Scanner에 대해서 간단히 알아보겠습니다. Optic system의 성능을 결정하는 요소에서 Resolution을 작게 만들어주는 것에는 source 파장과 lens(NA, sigma)등이 영향을 미칩니다. DOF 같은 경우에도 resolution과 동일합니다. Stage alignment system는 노광 위치에 대한 position accuracy를 결정짓는 요소이며, 또한 생산량 throughput과 관련이 있습니다.stepper는 wafer에 노광 할 때 사진 찍 듯 한 번에 노광 합니다. 그.. 2023. 7. 13. Off-Axis illumination(사입사 조명계) Off-Axis Illumination은 RET에서 resolution을 향상해 주는 조명계 기술입니다. resolution k1 factor를 낮춰주고, DOF k2 factor를 높여주어 더 작은 patterning이 가능하고 DOF margin을 증가시켜 줍니다. OAI의 원리는 On-axis 조명계에서는 정면으로 입사광이 마스크에 도달하면 회절 되면서 1 차광이 렌즈에 도달하지 않지만, Off-axis 조명계의 경우 비스듬히 사입사로 입사광이 들어오게 되면 회절 된 빛의 0 차광과 1 차광이 렌즈에 떨어지게 되어 서로 간섭을 이루어 imaging이 가능해집니다.OAI를 사용하면 이론적으로 Resolution k1 factor 기존 0.5에서 0.25까지 낮출 수 있습니다. OAI는 비스듬하게 입사.. 2023. 7. 13. Phase Shift Mask (위상전이 마스크) Phase Shift Mask(위상전이마스크)는 Resolution을 향상하기 위한 RET 기술 중 하나인 mask 기술입니다. 줄여서 PSM은 resolution 공정 상수 k1 factor를 줄입니다. 그래서 더욱 작은 patterning이 가능하게 합니다.PSM은 binary mask와 다르게 투과광의 전기장 위상을 180도 반전시켜 contrast를 극대화하여 image slope을 개선해 주는 Photo mask입니다. PSM은 Weak PSM과 Strong PSM으로 나뉩니다.전기장(E-field) 180도 반전시키고 intensity로 변환해 보면 기존 Binary mask 대비 Imin 값이 더 떨어지므로 contrast 및 image slope이 개선됩니다. 이에 따라 resol.. 2023. 7. 13. Partial Coherence (부분 가간섭도) * Coherence 정의와 종류 coherence는 우리나라 말로 결맞음(일관성)이라고 부르며, 두 파동이 간섭할 가능성을 말합니다. 간섭이 되면 두 개의 파동이 합쳐져 더 큰 진폭의 파동(보강간섭)이 되거나, 서로 상쇄되어 파동이 없어질 수 있습니다.(상쇄간섭) coherence가 없으면 파동은 서로 간섭하지 않습니다. 빛에는 시간적 결맞음과 공간적 결맞음, 부분적 결맞음의 종류가 있습니다. coherent ligth으로는 laser가 있고, incoherent light으로는 자연광(햇빛)이 있습니다. 1) Temperal Coherence : 시간적 결맞음(일관성)은 시간의 흐름에 따라 wave length가 얼마나 균일하게 유지되는지를 나타냅니다. 즉, 시간에 따라 주파수가 얼마나 일정한지를 보.. 2023. 7. 12. 이전 1 2 3 4 5 ··· 7 다음 728x90
